電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮(dan)化鋁(lv)陶瓷常壓燒結致密化抗水性自擴散系數小,通常需要熱(re)壓燒結才能制備(bei)出高致密的(de)氮(dan)化鋁(lv)陶瓷2.2實驗儀器設備(bei)和原料31-322.3實驗方法(fa)32-332.3。
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氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷導熱(re)性能良(liang)好(hao),是集成電(dian)路基板(ban)和電(dian)子封裝的(de)理想材料(liao)。但氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)為(wei)強共(gong)價鍵結合物,熔(rong)點(dian)高(gao),自擴散(san)系數(shu)小(xiao),通常需要熱(re)壓燒結才(cai)能制備出高(gao)致(zhi)密的(de)氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷。并且。
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氮化(hua)鋁(lv)(lv)(AlN)燒結(jie)(jie)爐溫度(du)均勻(yun)性批量生產(chan)《電子工業(ye)專用設(she)備》2010年(nian)06期加(jia)入收藏投稿氮化(hua)鋁(lv)(lv)尤(you)其(qi)是在氮化(hua)鋁(lv)(lv)陶(tao)瓷批量生產(chan)過程中,陶(tao)瓷燒結(jie)(jie)爐的溫度(du)不(bu)均勻(yun)。
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但近幾年國(guo)際上很多國(guo)家在重視AlN基片材(cai)料研發工作的(de)同時(shi),對(dui)氮化(hua)鋁陶瓷燒(shao)結(jie)爐的(de)制(zhi)備也(ye)越來越重視,由此(ci)孕育出(chu)一些專業的(de)氮化(hua)鋁陶瓷燒(shao)結(jie)設備制(zhi)造商(shang),尤其是美國(guo)和(he)日本(ben)。
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本文(wen)通過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加劑,研究不同(tong)添加劑對(dui)注(zhu)射成型低溫燒結AlN提高致密度和熱導率的作用(yong)。實驗結果表明(ming),使用(yong)Li2CO3,CaF2和Y2O3。
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采用(yong)微波高溫燒結工藝,制備了(le)致密的AlN陶(tao)(tao)瓷,并初步探討了(le)微波燒成環境對燒結體燒結陶(tao)(tao)瓷加工陶(tao)(tao)瓷相(xiang)陶(tao)(tao)瓷量塊陶(tao)(tao)瓷英語陶(tao)(tao)瓷機械陶(tao)(tao)瓷件陶(tao)(tao)瓷帽(mao)陶(tao)(tao)瓷設(she)備。
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氮化鋁燒(shao)結級AlN-010-A1S產品(pin)AlN-010-A1S氮化鋁粉體經過(guo)成(cheng)型燒(shao)結程(cheng)序(xu)制(zhi)成(cheng):用於射頻IC、高功率IC、LED晶片載板,高導熱(re)電子基板,LED路燈熱(re)電燈板,高導熱(re)共燒(shao)陶瓷(ci)。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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微波燒結(jie)(jie)設備主要應(ying)用于(yu)燒結(jie)(jie)各種高品(pin)質(zhi)的陶(tao)瓷、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鋁、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)鋁、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)等(deng);燒結(jie)(jie)電(dian)子陶(tao)瓷器件:PZT壓電(dian)陶(tao)瓷、壓敏電(dian)阻等(deng)。所謂微波燒結(jie)(jie)或(huo)微波燃燒合成(cheng)。
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供應:燒結(jie)(jie)氮化(hua)鋁(lv)(工藝技術資料配方圖紙參數)光盤(pan)當前價(jia)格(ge):200.00元1-BG52096含碳(tan)的氮化(hua)鋁(lv)燒結(jie)(jie)體以(yi)及用于半導體制造檢(jian)測設備的陶瓷(ci)基(ji)材(cai)2-BG。
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一種氮化鋁陶(tao)瓷(ci)的(de)(de)(de)(de)低(di)溫燒結(jie),包(bao)括氮化鋁起始(shi)粉料(liao)選(xuan)擇(ze),添加物(wu)的(de)(de)(de)(de)選(xuan)擇(ze)以及燒結(jie)工(gong)藝參數(shu)的(de)(de)(de)(de)選(xuan)擇(ze)。其特征在于:(1)以碳熱還(huan)原法(fa)及高溫自蔓延(yan)合(he)成法(fa)制(zhi)備的(de)(de)(de)(de)AlN粉體為起始(shi)。
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微波燒結設備紙箱刀(dao)具綠碳(tan)化(hua)硅(gui)砂倒角刀(dao)具優質(zhi)刀(dao)具泰(tai)珂洛刀(dao)具導(dao)熱/導(dao)熱粉(fen)(fen)/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉(fen)(fen)導(dao)熱/導(dao)熱粉(fen)(fen)/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉(fen)(fen)填充(chong)/填充(chong)劑/。
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本(ben)發明目的(de)是(shi)提供一種(zhong)能(neng)保持10#+〔8〕Ω.cm或更大(da)的(de)體積電阻率的(de)氮化鋁燒(shao)結體,能(neng)保證(zheng)覆蓋能(neng)力(li),大(da)的(de)輻(fu)射熱量和用溫度顯(xian)示器(qi)測(ce)定時的(de)準確度。本(ben)發明的(de)含碳氮化。
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一種(zhong)氮化鋁燒結體(ti),其特征在(zai)于(yu)包(bao)含(han)1-10%(重量)從周(zhou)期表(biao)Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選擇的(de)少(shao)。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華順系(xi)列陶瓷(ci)(ci)覆(fu)銅板(氮化鋁、氧化鋁、氮化硅)燒結爐廣(guang)泛應用於陶瓷(ci)(ci)覆(fu)銅板(DBC0在保護氣氛(fen)中的鍵合(he)、熱(re)處(chu)理等工序。設備針(zhen)對(dui)陶瓷(ci)(ci)復合(he)的特殊工藝特點(dian)設計了專有的。
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10、燒結(jie)釹鐵硼稀土永(yong)磁材(cai)料(liao)與新書推薦(jian)驕陽似氮化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)分(fen)享到:博(bo)庫價:23.2元(yuan)定價:28建(jian)筑施工土木工程(cheng)建(jian)筑設備建(jian)筑材(cai)料(liao)建(jian)筑測量(liang)工程(cheng)造價。
含碳的氮化鋁燒結體,用于半導體制造/檢測設備的基材-查詢下載
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文]3.2.5高壓設(she)備的高精(jing)度(du)控制(zhi)系統3.2.6腔(qiang)體介質材料(liao)的選擇3.2.7加熱(re)源石墨(mo)3.3高壓燒(shao)結腔(qiang)體設(she)計3.4高壓燒(shao)結AlN陶瓷制(zhi)備工藝流程3.4.1高壓燒(shao)結AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論文天(tian)下(xia)提供的<AlN粉末的制(zhi)備、低溫(wen)(wen)燒(shao)結及其注(zhu)射(she)成形技術的研究;論文包(bao)括氮化鋁陶瓷材料(liao)注(zhu)射(she)成形低溫(wen)(wen)燒(shao)結復(fu)合陶瓷制(zhi)備低溫(wen)(wen)燒(shao)結注(zhu)射(she)等其他(ta)相(xiang)關(guan)內容論文。
氮化鋁陶瓷-博庫網
本發明提(ti)供一種高純度氮(dan)化(hua)鋁(lv)(lv)燒結體(ti),其在氮(dan)化(hua)鋁(lv)(lv)燒結體(ti)制造時(shi),有效地除去原(yuan)料粉(fen)末中所(suo)含的氧(yang)化(hua)物(wu),且通過原(yuan)料粉(fen)末中所(suo)含的氧(yang)化(hua)物(wu)與(yu)燒結助劑(ji)反應來(lai)防(fang)止(zhi)生成的復合氧(yang)化(hua)。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
3.2.5高壓設備(bei)的(de)高精度控制系統3.2.6腔(qiang)體介質材料的(de)選擇(ze)3.2.7加熱源石墨3.3高壓燒(shao)結腔(qiang)體設計3.4高壓燒(shao)結AlN陶(tao)瓷制備(bei)工藝流程3.4.1高壓燒(shao)結AlN。
氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱(re)壓燒(shao)結(jie)AlN陶瓷(ci),以自蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉體為原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒(shao)結(jie)助(zhu)劑(ji)(ji),采(cai)(cai)用熱(re)壓燒(shao)結(jie)工藝制備AlN陶瓷(ci)。結(jie)果表明,采(cai)(cai)用燒(shao)結(jie)助(zhu)劑(ji)(ji),在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文探索了AlN陶瓷的(de)燒結技術(shu)(shu),利(li)用本實驗(yan)室原位合成技術(shu)(shu)合成的(de)AlN粉(fen)末制(zhi)備出了高致密,高導熱(re)的(de)AlN陶瓷。研究了AlN陶瓷的(de)常(chang)壓(ya)燒結技術(shu)(shu)。通過熱(re)力學(xue)條件(jian)和相(xiang)圖的(de)。
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供應燒結低溫燒結陶瓷燒結氮化鋁價格:200.00賣家(jia):楊先生(sheng)聯系:15818721055咨詢[5*-00*-0067]耐(nai)熱和/或耐(nai)火纖維材料的生(sheng)產方法及設備[5*-*3-0068]。
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寧夏海音(yin)工(gong)貿有限公(gong)司,細(xi)晶(jing)粒(深沖用(yong))鉭(tan)(tan)帶(dai)、鉭(tan)(tan)板鉭(tan)(tan)及鉭(tan)(tan)合(he)金(鉭(tan)(tan)10鎢、鉭(tan)(tan)2.5鎢,鉭(tan)(tan)鈮(ni)(ni)合(he)金等),產品(pin)有錠,管(guan),棒(bang),線,絲,及板帶(dai),箔材等;鈮(ni)(ni)及鈮(ni)(ni)合(he)金(鈮(ni)(ni)鎢。
熱壓燒結AlN陶瓷-熱壓燒結AlN熱導率顯微結構
研磨(mo)設(she)備(bei);壓(ya)制(zhi)和燒結設(she)備(bei);磨(mo)刷輪;鉆頭環;電子元器(qi)件;粉體(ti)材料;氮(dan)化(hua)鋁基板;拋光夾具;主(zhu)營(ying)行業:研磨(mo)設(she)備(bei);壓(ya)制(zhi)和燒結所在地:上海上海市長寧區天山供應產品(pin):。
氮化鋁陶瓷的燒結技術_材料學_論文網
41、含碳(tan)的氮(dan)(dan)化鋁燒(shao)結體以及用(yong)于(yu)半(ban)導(dao)體制造檢測設備(bei)的陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)材收錄氮(dan)(dan)化鋁陶(tao)瓷(ci)(ci)相關期刊文獻151項1、海門建成氮(dan)(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)地2、高壓氮(dan)(dan)氣中自(zi)蔓(man)延燃燒(shao)合成氮(dan)(dan)化鋁。
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抗(kang)折強度高,可以常壓在1600°C燒結,是一種高功(gong)率集成(cheng)電路基片的(de)未來(lai)使用材料晉盈科(ke)技發展(zhan)有(you)限公司(si)樂意提供氮化鋁AlN整線設(she)備,研(yan)發生(sheng)產光傳輸(shu)特性優(you)良的(de)基片。
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32CN00809591.4半(ban)導(dao)體(ti)加工設(she)備的防(fang)腐組件及其制造方法33CN02106821.6用于半(ban)導(dao)體(ti)和(he)功率模(mo)件的絕緣襯(chen)底板34CN02115663.8放電等離子燒(shao)結法制備氮化鋁(lv)透明陶瓷(ci)35。