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[圖文]2010年7月16日-這里與廣大讀者(zhe)分享(xiang)一(yi)下進口泥(ni)(ni)炭土(tu)的開采過程表(biao)面整理、泥(ni)(ni)炭層(ceng)排水(shui)等工序后才能夠挖掘泥(ni)(ni)炭。表(biao)面研磨采收是用機器(qi)將表(biao)面30毫米的泥(ni)(ni)炭層(ceng)刮(gua)掉(diao)。

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2011年2月21日(ri)-典型的(de)(de)RMG工藝(yi)流程(cheng)依次包括(圖1):臨時多晶硅柵(zha)極結構的(de)(de)形成,層間電介質(zhi)(ILD0)氧化硅的(de)(de)沉積,ILD0化學機械研磨直(zhi)臨時多晶硅柵(zha)極完全曝露(lu),刻(ke)蝕。

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樣地土(tu)壤以泥炭(tan)土(tu)為主,泥炭(tan)層深度為2m左右,用四(si)分(fen)法取部分(fen)樣品自(zi)然(ran)風(feng)干后經研磨,過100目宋(song)光(guang)煜.2004.若爾(er)蓋高(gao)原濕地生(sheng)態(tai)恢復過程中土(tu)壤。

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摘(zhai)要:通過對昆明滇池地區(qu)分(fen)布較大范圍特(te)殊(shu)軟土(泥炭質(zhi)(zhi)土)工程特(te)性的分(fen)析,提出在此條件下(xia)深(shen)基(ji)坑支(zhi)護設(she)計與(yu)施工的要點(dian)和(he)方法。關鍵詞:軟土;泥炭質(zhi)(zhi)土;基(ji)坑支(zhi)護。

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