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16高抑煙型阻燃劑納米氫(qing)氧(yang)化鎂的(de)(de)制備(bei)(bei)及(ji)表(biao)面處理新方(fang)法(fa)17管式熱法(fa)煉(lian)鎂生產(chan)工藝及(ji)其設(she)備(bei)(bei)18過氧(yang)化鎂的(de)(de)制備(bei)(bei)方(fang)法(fa)19活(huo)性氫(qing)氧(yang)化鎂的(de)(de)調(diao)整方(fang)法(fa)20間接輕燒。
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本發明涉(she)及一種高溫(wen)超(chao)導材料(liao)氧化鎂單晶的(de)生產方法和制(zhi)備設(she)備,本發明的(de)方法是通過(guo)以(yi)下(xia)步驟實現的(de):原(yuan)料(liao)制(zhi)作(1):制(zhi)品處(chu)理(2);通過(guo)在(zai)周邊使用MGO96%以(yi)上重(zhong)質氧化鎂材料(liao)。
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2005年3月3日-二、單晶氧化(hua)鎂常規生(sheng)長技術單晶氧化(hua)鎂一般是(shi)在(zai)大(da)功率(lv),三相電弧爐熔制,這種方法的優點(dian):生(sheng)產量大(da),設備結(jie)構簡單。缺(que)點(dian)是(shi):由于石墨電極(ji)在(zai)熔制過程中進入。
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47利用硼(peng)泥生產(chan)氧化鎂(mei)單(dan)(dan)晶(jing)的方(fang)(fang)法(fa)48用TiO<sub;2</sub;超細粉焰熔法(fa)人工(gong)合(he)成金紅(hong)石單(dan)(dan)晶(jing)的方(fang)(fang)法(fa)和(he)設備49一種制(zhi)備金屬(shu)合(he)金粉末(mo)的方(fang)(fang)法(fa)50硼(peng)酸鉍晶(jing)體(ti)的坩堝下降法(fa)。
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一種高(gao)溫(wen)超導材料氧化鎂(mei)單晶(jing)的生產方(fang)法,其特(te)征(zheng)在于:是通(tong)過以下(xia)步(bu)驟(zou)實(shi)現的:原(yuan)料制作:礦石-。
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9、低(di)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)絕熱材料(liao)及其生產方(fang)法(fa)10、低(di)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)鎂(mei)硅鐵產品的(de)生產工藝和設備1125、利用(yong)(yong)硼泥生產氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)單晶的(de)方(fang)法(fa)26、利用(yong)(yong)余(yu)熱爐(lu)內焙燒礦石制取電熔氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)。
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納米氫氧化(hua)鎂(mei)的制備及表面處(chu)理新方(fang)法17、管式熱(re)(re)法煉鎂(mei)生(sheng)產工藝及其設備18、用(yong)硼(peng)泥制備大尺寸氧化(hua)鎂(mei)單(dan)晶及其性能研究209.水熱(re)(re)合成法制備高純(chun)度氧化(hua)鎂(mei)210.。
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13、硅(gui)基納(na)米粉(fen)(fen)生產(chan)(chan)線輸(shu)粉(fen)(fen),收(shou)粉(fen)(fen)設(she)備14、硅(gui)片和生產(chan)(chan)單晶硅(gui)的方法15、硅(gui)微粉(fen)(fen)和鋯55200310123644.1用礦熱爐生產(chan)(chan)低氧(yang)化鎂(mei)稀土鈣鎂(mei)硅(gui)鐵(tie)合金的冶(ye)煉工藝(yi)56。
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將(jiang)生產(chan)重(zhong)質氧化鎂的下腳料送入反應器(qi),加入鹽酸進行氧化鎂單晶氧化鎂單晶氧化鎂是指MgO含(han)量在(zai)99.95腐(fu)蝕(shi)性氣體,從(cong)而妨(fang)礙(ai)救火(huo)和人員疏散(san)、腐(fu)蝕(shi)儀(yi)器(qi)和設備(bei)。
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.0爐外預(yu)熱分解制取電熔氧(yang)化鎂(mei)工(gong)藝及其設備1402107661.8氨全循環法生產氫氧(yang)化鎂(mei)和氧(yang)化鎂(mei)114200680009667.1單晶氧(yang)化鎂(mei)及其制造(zao)方(fang)法115。
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一種(zhong)利用硼泥生產氧(yang)化(hua)鎂(mei)單(dan)晶的(de)方法,將硼泥經(jing)300-600℃輕燒(shao)處理后,以1∶10-20的(de)固(gu)液(ye)比,液(ye)體(ti)為(wei)水(shui),在(zai)壓力罐中混合,通入(ru)來自石(shi)灰窯的(de)二氧(yang)化(hua)碳氣(qi),濃度為(wei)10-35%,。
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鈦(tai)酸(suan)鍶(si)單晶基片上外延(yan)生長氧化(hua)(hua)(hua)鎂納米(mi)線的(de)方(fang)法(fa),涉及(ji)(ji)微電子材料領域,特(te)別(bie)涉及(ji)(ji)應用于氧化(hua)(hua)(hua)物(氧化(hua)(hua)(hua)鎂)-復合氧化(hua)(hua)(hua)物(鈦(tai)酸(suan)鍶(si))異質外延(yan)中納米(mi)線及(ji)(ji)其表面(mian)周期(qi)結構的(de)制(zhi)備(bei)方(fang)法(fa)。
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在單晶基板(ban)上形成第三族(zu)氮化物外延層方法(fa)、制(zhi)品及設(she)備0008)GaN單晶生(sheng)長方法(fa)、GaN商品名稱:基板(ban)單晶技術單晶氮化鎵單晶基板(ban)半導體氧(yang)化鎂生(sheng)產資料剩(sheng)余時(shi)間:。
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