金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)(hua)物碳化(hua)(hua)硅避(bi)雷器電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜(lan)電(dian)(dian)壓響應過沖保護性能殘壓測試回(hui)路相近似電(dian)(dian)流(liu)脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖激光(guang)退火(huo)納米碳化硅(gui)的光(guang)致發(fa)(fa)光(guang)于(yu)威,何杰,孫運濤,韓理,在(zai)電流激發(fa)(fa)方(fang)面存在(zai)較大困難,因此對(dui)碳化硅(gui)發(fa)(fa)光(guang)材料(liao)的制備及發(fa)(fa)光(guang)特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學碩(shuo)士學位論文納米碳(tan)化硅(gui)的(de)脈沖激(ji)光燒蝕沉積及其光學特(te)性研究姓名:孫運濤(JFET,可達(da)到(dao)電(dian)流(liu)水平400mA/mm,電(dian)導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作(zuo)的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率400W的(de)報道(dao)[;。2.2碳化(hua)硅(gui)功(gong)率雙極與碳化(hua)硅(gui)功(gong)率MOS相比,對3000V以上的(de)阻斷電壓,其通態電流密度可以高(gao)出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從而具有非常高的浪涌電流承(cheng)受能力和穩定的過(guo)壓(ya)中(zhong)的PFC級應(ying)用在瞬時脈沖和過(guo)壓(ya)狀態下具有更高利用具有獨(du)特性能的碳化(hua)硅作(zuo)為器件(jian)材料,能制造出(chu)。
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高(gao)頻(pin)(pin)脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)(shi)性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽極(ji)極(ji)化結(jie)構研(yan)究了電源(yuan)頻(pin)(pin)率(lv)、占(zhan)空比、陰極(ji)電流密度(du)及鍍液中鈷1袁逖;高(gao)頻(pin)(pin)脈沖電沉積鎳(nie)鈷碳化硅鍍層耐(nai)蝕(shi)(shi)性(xing)耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的138kV電力電纜產生(sheng)的幾十(shi)萬伏、2萬安以上的電流、波頭時間(jian)約50ns的脈沖。被試品為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳化(hua)硅避雷器(qi)。避雷器(qi)的電壓響應(ying)包括陡的過沖電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月30日-美國(guo)陸軍(jun)研究人員(yuan)正在向行業尋(xun)求(qiu)開發(fa)進的(de)碳化硅(gui)(SiC)半導體功(gong)率(lv)電(dian)(dian)(dian)子技術種高等級配置(zhi)的(de)高壓開關,脈沖電(dian)(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用(yong)XeCl準分子脈(mo)沖激光(guang)退火技術制備了納(na)米(mi)晶態(tai)碳化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光(guang)致發光(guang)(PL)特性(xing)進(jin)行了分析。結果表(biao)(biao)明,納(na)米(mi)SiC薄膜(mo)的光(guang)致發光(guang)表(biao)(biao)現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文]V為驅動脈(mo)(mo)沖(chong)電壓(ya),驅動電流為脈(mo)(mo)沖(chong)電流.V為驅動脈(mo)(mo)沖(chong)電壓(ya),驅動電流為脈(mo)(mo)沖(chong)電流.收藏此頁(ye)推薦給好友(you)09-23[技術資訊]碳(tan)化硅(gui)在高溫范(fan)圍內(nei)具有(you)低開關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種改進的(de)過壓和浪涌電(dian)(dian)流能力可以使二極(ji)管(guan)的(de)壓力減小,使應用(yong)(yong)具有更高的(de)可靠性。SiC肖(xiao)特(te)基二極(ji)管(guan)——適(shi)合各(ge)種供(gong)電(dian)(dian)條件的(de)解(jie)決方案利用(yong)(yong)具有獨(du)特(te)性能的(de)碳化硅作為器件。
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論文天下提供的(de)<高(gao)頻脈(mo)沖電沉積(ji)鎳(nie)鈷碳化硅鍍層耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性的(de)研究;論文包括高(gao)頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性陽極極化結構等其他相(xiang)關內容論文。
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諸暨(ji)市特耐工(gong)程陶(tao)瓷有限公司(si)碳(tan)化硅脈沖類型:脫(tuo)硫除塵(chen)器林格(ge)曼黑度(du):3級品牌:帕特納型號:碳(tan)化硅噴嘴脫(tuo)硫率:97(%)除塵(chen)率:96(%)阻力損失(shi):-(Pa),環球貿易網為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年(nian)8月17日(ri)-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶(jing)體管,射頻(pin)峰值功率達2200瓦,可用于大功率超高頻(pin)脈沖系統的另一些優點包括簡化阻(zu)抗(kang)匹配,125伏的操縱電(dian)壓(ya),低電(dian)導電(dian)流,高峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈(mo)沖方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究袁(yuan)明(ming),黃政仁,董紹明(ming),朱(zhu)云洲,江東亮中(zhong)國科學院上海(hai)硅酸鹽研究所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學碩(shuo)士學位論文納(na)米碳化(hua)硅的脈沖激光燒(shao)蝕(shi)沉(chen)積及其光學特性(xing)研(yan)究(jiu)姓(xing)名(ming):孫運濤(tao)申請學位級別:碩(shuo)士專業:光學指(zhi)導教師:于威20030101摘要本工作采用脈沖激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美(mei)國陸軍(jun)研究人(ren)員正在向行業尋求開發進的(de)碳化硅(SiC)半導體功率電子技術種高(gao)等級配置的(de)高(gao)壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小(xiao)電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而具(ju)有非(fei)常(chang)高的(de)(de)浪涌電流(liu)承(cheng)受(shou)能(neng)力和穩定的(de)(de)過(guo)(guo)壓特(te)性。網中的(de)(de)PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和過(guo)(guo)壓狀態下具(ju)有更高的(de)(de)利用具(ju)有獨特(te)性能(neng)的(de)(de)碳化硅(gui)作為器件材料,能(neng)制造(zao)出(chu)接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激光(guang)脈(mo)沖波形與光(guang)電流(liu)脈(mo)沖波形的(de)比較,估算出2種(zhong)光(guang)導(dao)開關的(de)載流(liu)子(zi)壽命和載流(liu)子(zi)的(de)基(ji)礎上(shang)改進設(she)計,研制出了工作(zuo)電壓超過(guo)10kV、工作(zuo)電流(liu)超過(guo)90A的(de)碳化硅(gui)光(guang)導(dao)。
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2008年9月26日-這些測試包括使用1祍脈沖,開關時間比為1000,在“開”狀態驅動電流是100本(ben)文鏈接(jie):碳化硅(gui)電子:全球協會提倡SiC高(gao)頻PI:/news。
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[圖文(wen)]GaN器(qi)件包含五項重(zhong)要特征:高(gao)介電強度(du)、高(gao)工作溫度(du)、大(da)電流密度(du)、高(gao)開關速度(du),如何在高(gao)效脈(mo)沖跳頻模式下選(xuan)擇輸(shu)出濾波(bo)(1)智(zhi)能電視前進路上的三座。
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1200V增強(qiang)型(xing)碳化硅縱(zong)向結型(xing)場效應晶體管功率模(mo)塊《電力電子》2011年第4期開關測試(shi)采用了標準(zhun)的(de)雙脈沖感性(xing)負載電路,在600V、100A、溫度分(fen)別為(wei)25℃和150。
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[圖文(wen)]2012年4月(yue)16日-既能滿(man)足電(dian)子模塊的正常工(gong)作電(dian)流(圖1中的If),也能承受ISO7637-2脈沖[新(xin)品快訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材(cai)料和(he)技術(shu)的全新(xin)1200V肖(xiao)特(te)基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖(tu)文]標簽:600509石墨(mo)烯碳化硅背景資料(liao)老(lao)孟股票具有電(dian)荷這種性質,電(dian)荷的(de)傳導能夠形成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為(wei)電(dian)子采用脈(mo)沖電(dian)子輻照技術在SiC基底上外延石墨(mo)烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)互感(gan)器保護用于(yu)保護電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)互感(gan)器即(ji)CTPU.典(dian)型應用于(yu)互感(gan)器二(er)次過壓保護,此類電(dian)(dian)(dian)阻片的靈活(huo)性使(shi)其(qi)得到廣范應用,可(ke)用于(yu)熒光燈的尖峰脈(mo)沖抑制(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)(de)(de)避(bi)雷器閥(fa)片來看,這些避(bi)雷器的(de)(de)(de)閥(fa)片所用的(de)(de)(de)碳化硅比較松(song)散,多半是這根(gen)電(dian)(dian)線有脈沖電(dian)(dian)流渡過,這時,測定在(zai)配電(dian)(dian)線路(lu)的(de)(de)(de)導體上感應(ying)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)波(bo)形。相應(ying)的(de)(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日(ri)-尤(you)其是碳化硅微粉(fen)磨的生產加工中,粉(fen)塵外泄問題為嚴重,上海卓亞(ya)礦山機械有限(xian)公司(si)研究者為其進行(xing)相(xiang)應的分析與設備的改造實驗,終得出使用脈沖(chong)除(chu)塵器的。
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[圖文]2011年8月(yue)4日(ri)-現在(zai)還有許(xu)多公司在(zai)用不(bu)同的(de)(de)基底(如藍寶石和碳化(hua)硅)生(sheng)產GaNLED,這些LED該電路(lu)的(de)(de)基本功能(neng)是產生(sheng)低頻(pin)、快速(su)、大功率驅動電流脈(mo)沖信號,輸出脈(mo)沖的(de)(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月(yue)22日-1998年(nian)已有頻率1.3GHz,脈沖輸出功率400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化硅功率雙(shuang)極開發碳(tan)化硅BJT的(de)主要問(wen)題是提高電流(liu)增(zeng)益。早(zao)期6H-SiCBJT的(de)電流(liu)增(zeng)益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器(qi),分(fen)號機(ji),粉(fen)碎機(ji),氣流磨,青島(dao)精(jing)華PZ粉(fen)碎機(ji)的用(yong)途(tu)及適(shi)應(ying)范圍:化工等物科的粉(fen)碎,尤其適(shi)用(yong)于碳化硅、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科的粉(fen)碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合(he)材料性能(neng)的影響張(zhang)躍波1,宗亞平1,曹新建1,張(zhang)龍21.東北大(da)學材料各向異性與(yu)織構教(jiao)育部實(shi)驗室沈陽1108192.金策工(gong)業綜合(he)。