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1.石英(ying)(ying)坩(gan)堝可在1450度(du)以下使用,分(fen)透(tou)明和不透(tou)明兩種。用電弧法制(zhi)的半(ban)透(tou)明石英(ying)(ying)層(ceng)高純度(du)石英(ying)(ying)砂(sha)使其形成致(zhi)密層(ceng),其致(zhi)密層(ceng)能阻止(zhi)單晶硅(gui)(gui)高溫拉制(zhi)過程中硅(gui)(gui)與石英(ying)(ying)坩(gan)堝。

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1.石(shi)英坩(gan)堝(guo)可在1450度以下使用(yong),分(fen)透(tou)明(ming)和不透(tou)明(ming)兩(liang)種。用(yong)電弧(hu)法制的半透(tou)明(ming)石(shi)英層(ceng)高(gao)純度石(shi)英砂使其(qi)形(xing)成致(zhi)密層(ceng),其(qi)致(zhi)密層(ceng)能阻止單晶硅高(gao)溫拉制過程中硅與石(shi)英坩(gan)堝(guo)。

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1.石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝可在1450度(du)以下使用(yong),分透明(ming)和不透明(ming)兩種。用(yong)電弧法(fa)制的半透明(ming)石(shi)英(ying)當(dang)今,世界半導體工業發達國(guo)家已用(yong)此(ci)坩(gan)(gan)堝取代(dai)了小的透明(ming)石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝。他(ta)具有(you)純度(du)高。

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