碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材(cai)料(liao)等離子(zi)發(fa)射光譜(pu)法微量雜(za)質(zhi)元素測定微電子(zi)工業發(fa)動(dong)機雜(za)質(zhi)分(fen)析高溫(wen)技術(shu)聚變(bian)裝置微量元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)碲化(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(qian)(PbS)、碳(tan)化(hua)硅(SiC)等。與金屬材料(liao)不同,半導(dao)體中雜質含量和外界條件的改變(如(ru)溫度變化(hua)、受光照射等),都會使半導(dao)體的。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化硅(gui)制品中的(de)雜質沒(mei)有(you)任(ren)何一件事物是沒(mei)有(you)雜質的(de),即(ji)便(bian)是很多化學原料或者經過多重步驟(zou)產生的(de)高(gao)科技產品,所以,目前市場上(shang)出現的(de)碳化硅(gui)產品也有(you)很多雜質。但是。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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本發(fa)明涉及一種應用X射線熒(ying)光光譜法(fa)檢測碳化(hua)(hua)硅(gui)雜(za)質含量的(de)方法(fa),其步驟如(ru)下(xia):1、制備(bei)測試樣片(pian);2、制備(bei)標(biao)準(zhun)樣片(pian):①提純碳化(hua)(hua)硅(gui)的(de)制樣;②碳化(hua)(hua)硅(gui)提純,制備(bei)出(chu)純品(pin)碳化(hua)(hua)硅(gui);③。
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現在的原料主要成分(fen)是硅(gui)(gui)和碳化(hua)硅(gui)(gui)的混合(he)物,里(li)面含有少量(liang)鐵雜質,怎樣(yang)除(chu)去鐵,請各位賜教(jiao),謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳(tan)化硅(gui)(gui)晶體中(zhong)的(de)雜質是:鐵、鋁(lv)、鈣、鎂、硅(gui)(gui)等的(de)氧化物(wu)和碳(tan)化物(wu),以及它們的(de)共熔物(wu)。這(zhe)些(xie)雜質在(zai)冶煉爐熱動力(li)條件(jian)下,溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸發(fa)排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)(hua)硅因其相(xiang)較α-碳化(hua)(hua)硅擁有更(geng)高的(de)比表面積,所以可用于非均相(xiang)催化(hua)(hua)劑的(de)負載體。純的(de)碳化(hua)(hua)硅是無色(se)的(de),工(gong)業(ye)用碳化(hua)(hua)硅由于含有鐵等雜質(zhi)而呈現棕(zong)色(se)黑色(se)晶體。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時間:結束時間:雜(za)質碳(tan)(tan)加工工藝(yi)-催化(hua)(hua)劑(ji),二氧化(hua)(hua)碳(tan)(tan),碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,X射線,生(sheng)產碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅版的出價/購買記錄Top一(yi)口(kou)價:元(yuan)該物品已下架立即購買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)熱(re)率(lv):碳(tan)(tan)化(hua)硅制(zhi)品的導(dao)熱(re)率(lv)非(fei)常非(fei)常高,熱(re)膨脹參數小巧,抗熱(re)震性(xing)非(fei)常非(fei)常高,是(shi)優質的耐火材料。3、電學屬性(xing)恒(heng)溫下工業碳(tan)(tan)化(hua)硅是(shi)一種半(ban)導(dao)體,屬雜質導(dao)電性(xing)。高純度。
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阿(a)里巴(ba)巴(ba)供(gong)應綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅雜(za)質少硅含量(liang)98.5河(he)南(nan)SIC碳(tan)化(hua)硅生(sheng)產基地,研磨材料,這(zhe)里云集了(le)眾多的(de)供(gong)應商,采(cai)購商,制造商。這(zhe)是供(gong)應綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅雜(za)質少硅含量(liang)98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬可波羅網(wang)(makepolo.)提供(gong)溫縣華(hua)泰果(guo)殼研磨濾料廠相關企業介紹及產品(pin)信息主要以綠色碳(tan)(tan)化(hua)硅硬度(du)高,雜質(zhi)(zhi)少硅含量98.5優質(zhi)(zhi)碳(tan)(tan)化(hua)硅材料為主,還(huan)包括了綠色碳(tan)(tan)化(hua)硅。
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舉報文(wen)(wen)檔介紹暫無描述文(wen)(wen)檔分(fen)類待分(fen)類文(wen)(wen)檔格式.pdf文(wen)(wen)檔標簽加(jia)熱棒碳化硅石(shi)墨雜質數(shu)值溫度評(ping)論評(ping)論的時候,請遵紀守法并注意語(yu)言文(wen)(wen)明,多給文(wen)(wen)檔。
碳化硅的特性和根本機能
碳化硅中雜(za)質的(de)(de)形態(tai)-碳化硅中雜(za)質的(de)(de)形態(tai)碳化硅的(de)(de)研發(fa)(fa)成功并很好的(de)(de)利用是市(shi)場(chang)發(fa)(fa)展過程中的(de)(de)一大(da)進步點(dian),特(te)別(bie)是對(dui)于1893年艾奇遜(xun)的(de)(de)發(fa)(fa)明為引(yin)子,由(you)此推出的(de)(de)國內由(you)趙廣和(he)。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳(tan)(tan)化硅在(zai)現代工業生產(chan)中的應用(yong)范圍比較廣(guang)泛,比較為人(ren)們(men)所了解的是(shi)應用(yong)于磨料(liao)、磨具(ju)領域。但是(shi)隨著科學技術的進步,人(ren)們(men)對碳(tan)(tan)化硅的認識也(ye)逐漸深(shen)入(ru),由此開發。
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碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(SiC)是(shi)用石英砂、石油焦(或煤焦)、木(mu)屑為原料(liao)通過電阻爐高溫(wen)冶煉而(er)成。碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)在大自(zi)然也(ye)存在罕見的(de)礦物,莫桑石。碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化硅(gui);物理性(xing)(xing)(xing)質(zhi)性(xing)(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結晶性(xing)(xing)(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)的碳(tan)化硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固(gu)(gu)性(xing)(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結晶性(xing)(xing)(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)的碳(tan)化硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固(gu)(gu)溶有炭(tan)和金屬氧化物雜(za)質(zhi)呈黑色(se)(se)。密。
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論(lun)(lun)文天下提(ti)供的(de)<二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜分(fen)析碳(tan)化硅中(zhong)釩雜(za)質(zhi)含量(liang)的(de)研究;論(lun)(lun)文包括碳(tan)化硅二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜釩摻雜(za)定量(liang)分(fen)析二次(ci)(ci)離(li)子質(zhi)譜分(fen)析離(li)子注入(ru)樣品等(deng)其他(ta)相關內容論(lun)(lun)文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月(yue)24日-碳化硅(gui)(gui)俗(su)稱(cheng)金剛石(shi),又稱(cheng)碳硅(gui)(gui)石(shi),主要用作耐(nai)磨(mo)材料,耐(nai)火材料,核反(fan)應堆材料及制造電阻(zu)發熱硅(gui)(gui)碳棒(管),半導體(ti)元(yuan)件,C二級管,晶體(ti)管,電器元(yuan)件,火箭噴(pen)管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域(yu):新能源光伏需(xu)求(qiu)類型(xing):技術服務需(xu)求(qiu)編號:189-07制粉是碳化硅(gui)(gui)微粉生產中(zhong)的(de)重要工(gong)序(xu),但由于(yu)碳化硅(gui)(gui)的(de)硬度較高,其莫氏(shi)硬度為9.5級,在莫氏(shi)硬度標(biao)準中(zhong)僅低于(yu)金剛(gang)石。
碳化硅-搜搜百科
本文采(cai)用ICP-MS法對高純碳化硅粉(fen)表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜(za)質(zhi)進行(xing)測定,用氫氟酸溶液浸提試(shi)樣表面雜(za)質(zhi),用釔(yi)做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種(zhong)無TiC雜質(zhi)相的(de)碳化(hua)硅(gui)鈦(tai)陶瓷(ci)粉(fen)體(ti)的(de)合成(cheng)方(fang)法,其特征(zheng)在于:(1)以Ti粉(fen)、Si粉(fen)和TiC本發明公開(kai)了一種(zhong)低成(cheng)本無TiC雜質(zhi)相的(de)碳化(hua)硅(gui)鈦(tai)陶瓷(ci)粉(fen)體(ti)的(de)常壓合成(cheng)方(fang)法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金(jin)蒙碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)有(you)限(xian)公司是(shi)一家擁有(you)國內先(xian)進的碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)微粉,黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)微粉,黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)微粉,碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)粒(li)度砂,生(sheng)產(chan)線和(he)工藝(yi)技術,服(fu)務熱(re)線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳(tan)化硅(gui)電(dian)力(li)(li)電(dian)子(zi)器(qi)件研發(fa)進展與存在(zai)問題,1引言借助(zhu)于微電(dian)子(zi)技術(shu)的長足發(fa)展,以硅(gui)器(qi)件為基礎的電(dian)力(li)(li)電(dian)子(zi)技術(shu)因大功率(lv)場效應晶體(ti)管(功率(lv)MOS)和絕緣柵雙(shuang)極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游(you)離(li)硅(gui)。它(ta)一(yi)部(bu)分(fen)溶解于(yu)SiC晶(jing)體中,一(yi)部(bu)分(fen)與其雜質(如鐵(tie)、鋁、鈣(gai)等)形成合金而(er)粘(zhan)附于(yu)晶(jing)體上或嵌在(zai)晶(jing)體中。2、游(you)離(li)二氧化硅(gui)。通常(chang)存在(zai)于(yu)晶(jing)體表(biao)面。大(da)都是由于(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態施(shi)主能級分裂對雜質電離的(de)影響,與溫度、摻雜濃(nong)度和雜質能級深度的(de)關系進行了系統研究。發現只有在高溫且摻雜濃(nong)度低的(de)情況下,能級分裂的(de)影響很小可(ke)忽略不(bu)計(ji)。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅結(jie)合(he)碳化(hua)硅材(cai)料反應(ying)燒(shao)結(jie)時的(de)雜(za)質(zhi)相(xiang)行(xing)為分析,郝小勇(yong);-陶瓷工程1998年(nian)第(di)03期在線閱讀、文章下載(zai)。<正;l前言Si3N4結(jie)合(he)SIC材(cai)料的(de)研究(jiu)近年(nian)來(lai)在國內發(fa)展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料反(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的反(fan)應行為(wei)。氮化硅結(jie)合(he)碳化硅材料反(fan)應燒結(jie)時的雜質(zhi)相行為(wei)分(fen)析(xi)前言:分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用的切(qie)割液和(he)碳(tan)(tan)化硅微(wei)粉在(zai)線切(qie)割過程中(zhong),砂漿中(zhong)不可避(bi)免的會混(hun)入(ru)硅粉、鐵、高聚物等雜質,部分碳(tan)(tan)化硅微(wei)粉也會因切(qie)割作用而(er)出(chu)現破損,產生的廢砂漿很難繼(ji)續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅(gui)結(jie)合碳化硅(gui)材料(liao)反(fan)(fan)應(ying)燒結(jie)時(shi)的(de)雜(za)質(zhi)相(xiang)行為分析-分析了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)反(fan)(fan)應(ying)燒結(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質(zhi)相(xiang)的(de)反(fan)(fan)應(ying)行為。
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碳(tan)化硅質泡(pao)(pao)沫(mo)陶(tao)(tao)瓷過濾(lv)片(pian)(pian),去孔,濾(lv)渣(zha),吸附雜質泡(pao)(pao)沫(mo)陶(tao)(tao)瓷過濾(lv)片(pian)(pian)簡介泡(pao)(pao)沫(mo)陶(tao)(tao)瓷過濾(lv)器的過濾(lv)機理:整流作用:在(zai)澆鑄系統中(zhong)放置泡(pao)(pao)沫(mo)陶(tao)(tao)瓷過濾(lv)片(pian)(pian)后,金(jin)屬液流阻力增(zeng)大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄(zi)博鑄泰(tai)碳(tan)(tan)素(su)有(you)限公司碳(tan)(tan)化硅(gui)簡介:碳(tan)(tan)化硅(gui)英文名稱:siliconcarbide,俗稱金(jin)剛砂。純碳(tan)(tan)化硅(gui)是無(wu)色(se)透明(ming)的晶體。工業碳(tan)(tan)化硅(gui)因所含雜質的種類和含量不同,而(er)呈淺黃、綠、藍。